MMICチップ&パッケージ【高周波部品】

1枚のチップに必要な機能を集約
メーカー ネックスビーム社(Nxbeam)

WTP2024出展製品通信用IC

ネックスビーム社では、認証された半導体プロセスのみを使った高機能、高信頼性なMMIC製品をご提供しております。

コンパクト且つコストパフォーマンスに優れたデザインで、ダイチップ、パッケージ双方でのご提供が可能です。

製品ラインナップ

※各型番をクリックするとデータシートが表示されます。

PA(パワーアンプ)

モデル 周波数 (GHz) Pout (dBm) ゲイン (dB) PAE (%) 電圧 (V) 形状
NPA1020-DE 12.5 – 14.5 42 25 40 24 ダイチップ
NPA2020-DE 23 – 25 39 17 33 24 ダイチップ
NPA2004-DE 25.0 – 27.5 46 24 34 26 ダイチップ
NPA2001-DE 26.5 – 29.5 45.5 25 31 24 ダイチップ
NPA2001-TB-501 26.5 – 29.5 45.5 25 31 24 ダイチップ(高熱伝導ヒータスプレッダ付)
NPA2002-DE 27 – 30 45.3 25 34 24 ダイチップ
NPA2003-DE 27.5 – 31 45.3 25 32 24 ダイチップ
NPA2003-TB-501 27.5 – 31 45.3 25 31 24 ダイチップ(高熱伝導ヒータスプレッダ付)
NPA2030-DE 27.5 – 31 43 25 35 24 ダイチップ
NPA2030-TB-501 27.5 – 31 42.7 25 34 24 ダイチップ(高熱伝導ヒータスプレッダ付)
NPA2040-DE 27.5 – 31 40 24.5 31 24 ダイチップ
NPA2050-SM 27.5 – 31 39 23 27 24 QFN
NPA4010-DE 47 – 52 35.5 24 23 24 ダイチップ
NPA7000-DE 65 – 76 30 13 27 15 ダイチップ

FEM(フロントエンドモジュール)

モデル 周波数
(GHz)
Txパワー
(dBm) (@Psat)
Txゲイン
(dB)
Rxゲイン
(dB)
Rx NF
(dB)
電圧 (V) 形状
NFE2000-DE 25 – 29 38 22 17 3.3 20 ダイチップ
NFE3000-DE 37 – 40 33 21 16 3.4 20 ダイチップ

Switch(スイッチ)

モデル 周波数
(GHz)
スイッチ
タイプ
挿入損失
(dB)
アイソレーション
(dB)
スイッチング
スピード (nS)
P1dB (dBm) 制御電圧 (V) 形状
NSW2000-DE 26 – 30 SPDT  0.9 > 30 TBD TBD 0 / -20 ダイチップ
NSW3000-DE 37 – 40 SPDT  1 > 30 TBD TBD 0 / -20 ダイチップ

メーカー紹介

ネックスビーム社(Nxbeam)

Nxbeam(ネクスビーム)社は、2018年にアメリカ合衆国のカリフォルニアで設立された5G及び衛星通信向けのアクティブデバイスメーカで、窒化ガリウム(GaN)・インジウムリン(InP)にフォーカスした半導体集積技術を得意としており、5Gや衛星通信分野を中心に、高効率のMMICやパワーアンプモジュール、ビームフォーミングICをご提供致します。

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電子システム部 通信計測チーム

TEL:03-5427-7566
E-MAIL:ctl-comm@cornes.jp

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