5G 28GHz帯基地局用GaNフロントエンドモジュール【高周波部品】

1枚のチップに必要な機能を集約

メーカーネックスビーム社（NXBeam）

本チップは、SiC上に0.2μmのGaN HEMTを実装した5G基地局向けのフロントエンドモジュールです。

25～29GHz帯の送受信アンプと低損失の高アイソレーションスイッチが一枚のチップに実装されています。

50ΩへマッチングされたRFインプット/アウトプットを持つダイチップで、基板実装しやすい様、DCブロックキャパシタも実装しています。

NXBeamは、ハイパワー粒子加速器や放射線治療装置などに使用される高品質なマイクロ波電子銃を製造するメーカーです。

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